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應用于4~12寸半導體晶圓級封裝WLP植球工藝,涵蓋BGA、WLCSP、Flipchip、Bumping、MEMS、MCM(MCP)、WLP、SiP、TSV、Fan-Out芯片常規(guī)芯片和5G芯片。
最小植球錫球直徑: | 60um |
最小植球間距: | 120um |
植球位置偏差: | 15um |
開孔誤差: | ±5um |
鋼片厚度誤差: | ±5um |
材質: | 鎳合金 |
硬度: | 400~550HV |
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